삼성전자, 세계최초로 60나노급 2기가 D램 개발 성공
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올해 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 이 회사는 기존에 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함해 이번에 2기가비트 제품까지 확보하게됨으로써 올해 말 DDR2 D램 전제품에 대해 60나노급 제품으로의 양산 전환을 완료할 수 있게 됐다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리)와 비교해 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하며, 생산성도 40% 이상 향상된 제품이라고 할 수 있다.
이번에 개발된 2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈(UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하며, 이를 통해 메모리 용량 확대를 가속화시킬 것으로 예상되고 있다.
특히 유저는 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있으며, 그에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 올해 하반기부터 D램 시장의 주요 제품을 기존 512메가에서 1기가로 전환하고 있으며, 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램과 같이 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량 및 고성능 고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 계획을 가지고 있다.
한편 반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트 (Gartner Dataquest)에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 2011년에 약 140억불 규모로 성장할 것으로 예상되고 있으며, 전체 D램 시장의 47%를 차지할 것으로 전망되고 있다.
