POSTECH 정윤하 교수팀, 초고속 나노트랜지스터 개발

국내 연구팀이 세계에서 가장 빠른 동작속도를 가진 30나노급 갈륨비소계 나노트랜지스터를 개발했으며, 이에 따라 차세대 초고속 반도체 소자 개발에 큰 활력을 불어넣을 것으로 기대를 모으고 있다.
포스텍 전자전기공학과 정윤하 교수 연구팀은 기존의 실리콘 소자보다 10배 이상 빠른 35나노미터 갈륨비소계 나노트랜지스터 개발에 성공했으며, 이번에 개발된 35나노미터 크기의 나노트랜지스터는 저항을 줄일 수 있는 지그재그 형태의 게이트 구조를 가져 나노트랜지스터의 동작속도를 결정하는 최대발진주파수가 520 기가헤르츠 이상인 제품이라고 할 수 있다. 이 속도는 인듐인 기반의 트랜지스터와 거의 유사한 속도이며, 갈륨비소를 기반으로 한 트랜지스터 중에서는 가장 빠른 속도라고 할 수 있다.
특히 전류이득 차단주파수와 최대 발진 주파수가 모두 우수해 기존 기술보다 한 단계 진보한 나노전자소자기술이라는 평가를 받고 있다.
이 트랜지스터는 기존의 50나노급 트랜지스터보다 성능이 우수할 뿐만 아니라 가격이 기존 제품의 절반 이하이며, 제조공정이 용이해 대량생산에 유리하다는 장점을 가지고 있다.
미국 렌슬러 폴리테크닉공대(RPI) 박윤수 교수는 "정 교수팀이 개발한 나노소자는 초고주파 소자 및 회로의 개발에 획기적인 역할을 할 것으로 기대된다."고 설명했다.