25~50% 에너지 손실 개선 세계적 수준의 IGBT 전력모듈
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| 화인 SPN IGBT모듈 |
지난 4월 11일 전력용 반도체 기술분야의 선도기업인 화인SPN이 세계적 수준의 성능을 자랑하는 600V 75A, 200A, 400A급 IGBT 모듈 3종을 국내 최초로 개발했다고 발표했다. 화인SPN이 이번에 개발한 IGBT 모듈은 IGBT의 중요한 사양 중의 하나인 Vce(sat)가 1.5V인 제품으로 전력용 반도체 시장의 최첨단 제품과 동등한 수준의 성능을 구현한 것이다.
이러한 차세대 첨단 전력용 반도체 모듈 제품은 1.5V의 Vce(sat)값을 가지고 있어 Vce(sat)가 1.9V ~ 2.7V에 이르는 기존 IGBT 모듈과 비교했을 때 에너지 손실을 25%에서 50% 이상 개선할 수 있으며 스위칭 속도가 빨라 고속 기기에 응용이 가능하다.
화인SPN의 김경수 부사장은 “그 동안 국내의 기술은 세계적 수준의 제품과 비교했을 때 미비한 점이 많았다.”며, “이번에 개발된 IGBT 모듈은 세계 선도기업의 최우수 제품과 동등한 수준의 성능을 구현하고 있어 향후 수입 대체 및 국내 시장 확대에 큰 기대를 갖고 있다.”고 밝혔다.
