미국내 제2라인 준공으로 글로벌 생산체제 한층 강화

 
삼성전자는 6월 14일 미국 오스틴에 위치한 반도체 생산단지(SAS: Samsung Austin Semiconductor)에서 300mm 웨이퍼 생산라인인 제2라인(SAS Fab2)의 준공을 기념하는 행사를 가졌으며, 이를 통해 하반기 중 50나노 16기가 낸드 플래시 양산을 시작할 것이라고 밝혔다.
이날 준공식에는 삼성전자 윤종용 부회장, 황창규 사장 등 삼성전자 주요 경영진을 비롯해 릭 페리(Rick Perry) 텍사스 주지사, 윌 윈(Will Wynn) 오스틴 시장 등 한미 양국의 주요 인사가 참석했다. 약 1년간의 공사를 거쳐 완공된 제2라인은 1997년부터 가동하고 있는 기존 200mm(8인치) 라인에 이은 미국내 두 번째 반도체 생산시설이며, 삼성전자의 해외 첫 300mm 반도체 생산라인이라고 할 수 있다.
삼성전자는 이번 300mm 신규라인(4.3만평)에 2008년까지 총 35억불을 투자할 계획이며, 초기 월 2만매 규모에서 시작해 점차 생산규모를 확충해 나갈 계획을 가지고 있다. 이 회사는 기존 200mm 1라인은 D램 생산에 주력하며, 이번 신규 300mm 라인은 50나노급 이하의 낸드 플래시 등 차세대 메모리 생산에 주력할 방침을 가지고 있다. 이를 통해 삼성전자는 차세대 고용량 낸드 플래시 생산시설 확충했으며, 세계최대 IT 시장인 미주시장에 적극 대응할 수 있을 것으로 전망하고 있다.
삼성전자 윤종용 부회장은 “미국 오스틴의 300mm 라인 건설로 인해 삼성전자는 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보하게 됐으며, 거래선과의 신뢰 및 우호관계를 한층 강화할 수 있게 됐다.”고 밝혔다.
삼성전자는 이번 라인 준공에 따라 세계 최대 반도체단지인 국내 기흥-화성단지를 최첨단 반도체 생산 및 R&D 메카로 발전시키며, 미국 오스틴 단지를 미주 공략의 전략생산 거점으로 삼을 계획을 가지고 있다. 이와 동시에 중국 쑤저우 단지를 조립 및 패키지 거점으로 집중 육성함으로써 아시아와 미주 대륙을 잇는 글로벌 생산 체제를 한층 강화해 나갈 계획도 가지고 있다. 

미국 오스틴의 제2라인 준공식