[IR코리아] DirectFET MOSFET 칩셋 출시

전력용 반도체 분야 전문업체인 인터내셔날 렉티파이어 코리아 (International Rectifier: IR 코리아. 대표 허기병)는 신형 DirectFET MOSFET 동기식 버크컨버터 칩셋을 출시했다. 이 칩셋은 하이엔드 데스크탑과 서버뿐만 아니라 첨단 전기통신 및 데이터통신 시스템에 탑재되는 인텔과 AMD의 차세대 프로세서에 사용되는 고주파, 고전류 DC-DC 컨버터에 적합하다. 가령, 130A, 5상 컨버터에 신형 IRF6619와 IRF6633 칩셋을 사용하면 콤팩트한 풋프린트로 효율이 85%에 이른다.

이상적인 동기식 MOSFET인 IRF6619는 소자 동작저항과 역회복전하가 매우 낮은 것이 특징으로, 평균 동작저항은 10VGS에서 1.65 m(, 4.5VGS에서 2.2m(이며, 역회복전하는 22nC이다. MX 금속 DirectFET 패키지로 하우징되었으며, 보드면적은 SO-8과 동일하나 두께는 0.7mm이다.
IRF6633은 최적의 제어FET로, 밀러전하와 게이트전하가 4nC에 불과하며 동작저항과 게이트전하의 조합이 시장에 출시중인 다른 20VN 소자 대비 43% 이상 작다. IRF6633의 동작저항과 게이트전하의 조합인 성능지수(performance figure-of-merit)는 38m(-nC이며, MP 금속 DirectFET 패키지로 하우징되었고 두께는 0.7mm에 SO-8과 동일한 보드면적을 가진다.

IR사의 독자적인 DirectFET MOSFET 패키지는 종전의 어떤 표준 플라스틱 개별 패키지도 제공하지 못했던 완전히 새로운 설계상의 장점을 제공한다. 금속 캔 구조에 의한 양면냉각 방식으로 첨단 마이크로프로세서에 전력을 공급하는 고주파 DC-DC 버크컨버터의 전류처리용량을 효과적으로 배가할 수 있게 되었다.

IR코리아의 허기병 대표는 “신형 IRF6619 및 IRF6633 칩셋은 프로세서 전력 시스템 내 각 위상마다 표준 D-Pak MOSFET 4개를 대체하므로 소자수가 절반으로 줄어들면서 각 위상마다 MOSFET 보드공간이 50% 이상 감소하게 되어 워크스테이션 및 서버용 폼팩터가 더 작아지게 된다"고 말했다.

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