50% 이상 보드 공간 감소

IR은 36V에서 75V 범용 텔레콤 입력 및 48V 고정 입력 시스템에 이르기까지 광범위한 범위에서 동작하는 절연형 DC-DC 컨버터용 150V DirectFET  MOSFET인 IRF6643PbF를 출시했다. IR의 첨단 DirectFET 패키징 기술과 차세대 HEXFET 파워 MOSFET 실리콘이 결합된 새로운 DirectFET 소자는 정격 전류를 최대 35 암페어까지 달성하면서 로우 프로파일 SO-8 패키지 소자와 동일한 풋프린트에서 뛰어난 온도 성능과 더 높은 효율을 제공할 수 있다.
이 소자의 매우 낮은 10V RDS(on)의 29 mOhm과 낮은 인덕턴스의 특징은 고전류 동기식 정류기 소켓에 이상적이다. 또한 매우 낮은 39 nC Qg 와 11nC Qgd의 특징을 갖춘 IRF6643TRPbF는 절연형이나 중형 DC bus 컨버터에서 1차측 MOSFET으로 기능을 발휘하며, Medium-sized(MZ)로 패키징 되었다.
IR의 디스크리트 제품을 총괄 칼 블레이크(Carl Blake) 기술 마케팅 이사는 “IR의 DirectFET 제품라인에서 가장 최신 제품인 이 소자는 파워 MOSFETs, RDS(on), Qg, Qgd 의 성능을 결정짓는 중요한 파라미터를 지속적으로 향상시킴으로써 전도, 스위칭, 역복구 손실 (reverse-recovery loss)을 최소화시킨다.”며, “이 같은 기술 향상은 더 높은 전류 레벨에서 동작할 수 있게 하면서 단일 MOSFET의 소형 폼 팩터를 유지할 수 있게 한다”.고 설명했다.
또한 “50% 이상까지 보드 공간을 감소시킴으로서 단일 DirectFET MOSFET은 은 이제 2개 또는 3개의 SO-8 패키지를 대체할 수 있다”고 밝혔다.